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ASME 1973-2-2001 9Cr-1Mo-V材料.第VIII节,第2部分;补充件6R(2002)

作者:标准资料网 时间:2024-05-17 07:50:34  浏览:8501   来源:标准资料网
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【英文标准名称】:9Cr-1Mo-VMaterialSectionVIII,Division2;SUPP6R(2002)
【原文标准名称】:9Cr-1Mo-V材料.第VIII节,第2部分;补充件6R(2002)
【标准号】:ASME1973-2-2001
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:2001
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国机械工程师协会(US-ASME)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:
【摘要】:9Cr-1Mo-VMaterialSectionVIII,Division2;SUPP6R(2002)
【中国标准分类号】:H63
【国际标准分类号】:
【页数】:
【正文语种】:英语


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【英文标准名称】:Semiconductordevices-Micro-electromechanicaldevices-Part9:WafertowaferbondingstrengthmeasurementforMEMS(IEC62047-9:2011);GermanversionEN62047-9:2011
【原文标准名称】:半导体器件.微型机电器件.第9部分:微机电系统硅片的硅片键合强度试验(IEC62047-9-2011).德文版本EN62047-9-2011
【标准号】:EN62047-9-2011
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:2012-03
【实施或试行日期】:2012-03-01
【发布单位】:欧洲标准学会(EN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:Bonding;Components;Compounds;Compression;Connections;Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Intermediatelayers;Materials;Measurement;Measuringtechniques;Microelectronics;Microsystemtechniques;Properties;Semiconductordevices;Specification(approval);Strengthofmaterials;Surfacetreatment;Symbols;Systemengineering;Testing;Visualinspection(testing);Wafers
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_01;31_220_01
【页数】:26P;A4
【正文语种】:英语


【英文标准名称】:
【原文标准名称】:工业X射线装置
【标准号】:JISZ4606-1988
【标准状态】:作废
【国别】:日本
【发布日期】:1988-11-01
【实施或试行日期】:1988-11-01
【发布单位】:日本工业标准调查会(JISC)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:工业的;辐射摄影术;X射线仪
【英文主题词】:
【摘要】:
【中国标准分类号】:N78
【国际标准分类号】:
【页数】:
【正文语种】:



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